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MOSFET(AO3401)+肖特基(1N5819)組合電路
本文介紹電路中,MOS管(AO3401)+肖特基(1N5819)常見組合應用。
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2024/11
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。它的物理鍵非常牢固,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性使SiC器件能夠在高于硅的結溫下使用,甚至超過200°C。碳化硅在電源應用中的主要優勢是其低漂移區域電阻,這是高壓功率器件的關鍵因素。今天來分享一下 [“關于氮化鎵的10件事”]
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2024/10
TOLL封裝的MOSFET特點以及技術優勢
TOLL(Transistor Outline Leadless)封裝的MOSFET,由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點,已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
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2024/09
芯片制造全工藝流程(必備收藏參考)
芯片制造流程是一個高度復雜且精細的過程,涉及多個關鍵步驟和高度專業化的技術。從芯片設計到封裝測試,每一步都需要精確控制和嚴格管理,以確保芯片的性能和質量。隨著科技的不斷發展,芯片制造工藝也在不斷進步和創新,以適應日益增長的市場需求和技術挑戰。
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2024/08
三極管工作原理介紹,NPN和PNP型三極管的原理圖與各個引腳介紹
三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關,是電子電路的核心元件。 三極管由兩個 PN 結組成,這兩個 PN 結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有 PNP 和 NPN 兩種。
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關于微波爐高壓二極管作用及應用的研究報告
摘要:本研究報告旨在深入探討微波爐高壓二極管的作用,并詳細分析其在微波爐中的應用。通過對高壓二極管的工作原理、特性以及在微波爐電路中的具體功能進行研究,揭示其對于微波爐正常運行和性能優化的重要意義。
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