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3M080120K(TO-247-4L(K))
特征 ● VDS 1200V ● ID 32A ● RDS（ON）（VGS=10V）80mΩ ● 第三代SiC MOSFET技術 ● 優化的封裝，帶有單獨的驅動源引腳 ● 漏極和源極之間的爬電距離為8mm ● 高阻斷電壓，低導通電阻 ● 低電容高速開關 ● 低反向恢復（Qrr）的快速本征二極管 應用 ● 電機驅動器 ● 電動汽車充電站 ● 高壓DC/DC轉換器
所屬分類：
產品中心
碳化硅
TO-247-4L(K)
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