MLS2016 SOT-23

廣東佳訊電子 MLS2016 20V/3.2A N溝道MOSFET產品描述產品概述 MLS2016 是一款基于溝槽型低壓（LV）MOSFET技術的N溝道功率器件，具備20V耐壓與3.2A連續電流能力。其通過優化設計實現超低導通電阻（RDS(ON)），支持高速開關與高效功率管理，適用于PWM控制及負載開關場景。產品采用SOT-23封裝，符合工業級可靠性標準，兼顧性能與緊湊布局需求。核心特性高性能參數耐壓與電流能力：漏源電壓（VDS）：20V（最大值）連續漏極電流（ID）：3.2A（VGS=10V，TC=25℃）脈沖漏極電流（IDM）：10A（TC=25℃）超低導通電阻： RDS(ON)：47mΩ（VGS=4.5V，ID=3.6A） / 65mΩ（VGS=2.5V，ID=3.1A）高速開關特性：開關延遲時間：7ns（導通） /?15ns（關斷）總柵極電荷（Qg）：3.6nC（VDS=10V，ID=3.2A）電氣可靠性柵源耐壓（VGS）：±10V（最大值）漏源擊穿電壓（BV DSS）：20V（VGS=0V，ID=250μA）低漏電流：零柵壓漏電流（IDSS）：<1μA（VDS=20V）柵極漏電流（IGSS）：±100nA（VGS=±10V）溫度適應性工作結溫（TJ）：-50℃ ~ 150℃ 熱阻（RθJA）：178℃/W（穩態條件下）最大功率耗散（PD）：0.7W（TC=25℃）應用領域 PWM控制：電機調速、LED驅動電源管理：DC-DC轉換器、負載開關便攜設備：移動電源、USB Type-C接口控制工業系統：繼電器驅動、自動化設備電源模塊封裝與訂購封裝類型：SOT-23（貼片封裝，尺寸詳見規格書）包裝規格：最小包裝：3,000顆/卷帶整箱數量：180,000顆型號標識：MLS2016（封裝標記“WT6X”，X代表生產月份）產品優勢高效節能：超低導通電阻減少熱損耗，提升系統能效。快速響應：納秒級開關速度，適配高頻PWM電路需求。高可靠性：寬溫域設計與工業級耐壓，適應嚴苛工作環境。緊湊布局：SOT-23封裝節省PCB空間，支持高密度集成。適用場景廣泛用于消費電子、工業控制、新能源設備及便攜式產品的電源管理模塊，是優化功率密度與能效比的理想選擇。

所屬分類：

產品中心

MOSFET

中低壓MOSFET

在線留言

聯系我們

免費咨詢電話：0769-2230 2199

PDF文檔文件下載

產品描述

廣東佳訊電子 MLS2016 20V/3.2A N溝道MOSFET產品描述

產品概述
MLS2016 是一款基于溝槽型低壓（LV）MOSFET技術的N溝道功率器件，具備20V耐壓與3.2A連續電流能力。其通過優化設計實現超低導通電阻（RDS(ON)），支持高速開關與高效功率管理，適用于PWM控制及負載開關場景。產品采用SOT-23封裝，符合工業級可靠性標準，兼顧性能與緊湊布局需求。

核心特性

高性能參數
- 耐壓與電流能力：
  - 漏源電壓（VDS）：20V（最大值）
  - 連續漏極電流（ID）：3.2A（VGS=10V，TC=25℃）
  - 脈沖漏極電流（IDM）：10A（TC=25℃）
- 超低導通電阻：
  - RDS(ON)：47mΩ（VGS=4.5V，ID=3.6A） / 65mΩ（VGS=2.5V，ID=3.1A）
- 高速開關特性：
  - 開關延遲時間：7ns（導通） / 15ns（關斷）
  - 總柵極電荷（Qg）：3.6nC（VDS=10V，ID=3.2A）
電氣可靠性
- 柵源耐壓（VGS）：±10V（最大值）
- 漏源擊穿電壓（BV DSS）：20V（VGS=0V，ID=250μA）
- 低漏電流：
  - 零柵壓漏電流（IDSS）：<1μA（VDS=20V）
  - 柵極漏電流（IGSS）：±100nA（VGS=±10V）
溫度適應性
- 工作結溫（TJ）：-50℃ ~ 150℃
- 熱阻（RθJA）：178℃/W（穩態條件下）
- 最大功率耗散（PD）：0.7W（TC=25℃）